| 型号： | MMBT5550 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Fairchild Semiconductor | 描述： | TRANSISTOR NPN GP SOT-23 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 |
| MMBT5550 PDF |  |
| 产品变化通告 | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 140V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 60 @ 10mA，5V |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | MMBT5550DKR |